ارائه یک مدل بهبودیافته برای ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه و بهینه سازی پارامترهای آن توسط الگوریتم جستجوی گرانشی

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power law MOS ، دقت این مدل را افزایش و خطای آن را کاهش داده است. پارامترهای مدل پیشنهادی نسبت به دو مشخصه ی واقعی  BSIM3 در تکنولوژی130 نانومتر و TSMC_CM018RF در تکنولوژی180 نانومتر، که امروزه کاربرد بسیاری در مدارات الکترونیکی مخصوصا مدارات فرکانس بالا دارند، محاسبه شده است. به منظور افزایش دقت مدل پیشنهادی، پارامترهای آن، توسط سه الگوریتم وراثتی، بهینه سازی جمعیت ذرات و جستجوی گرانشی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که برای مدل ارائه شده، الگوریتم جستجوی گرانشی نتایج بهتری به دست داده است.